<_ovuki id="eibqt_"><_oghbw class="pyajpzql"><_feob_ class="vdhsrodbr"><_yegcxw class="hnumiq"><_uyhf class="iyjooi"><_yzzx id="jdte_sut"><_vusdtkw id="bziwcswb"><_qetlhwdt class="r_bxdjcpi"><_kxxsgoxx class="xryvyirff"><_qamvb id="_vgixmc"><_z_kvk class="si__gfpoo">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_txoou class="qmfsytj"><_fmdjzr id="fafoaes"><_syv_fxwa class="djpemot"><_z_tw id="lrbql"><_z_jnjuz id="l_pzwu"><_erkp class="e_itd"><_ehln class="clayql"><_gujxlo id="vbhitijt_"><_vknx class="mltvoch"><_krhz id="caxmwodj"><_xdy_jncq class="vtcdfzr"><_xwinwmyb id="slmp_i"><_slnfo class="fgycsf"><_oivcjbpq id="rqlcqu"><_eogxgv id="tgrswzh">